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MEMORIAS

Su definición es: almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

Cada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente como memoria principal o RAM. Se puede pensar en memoria principal como arreglo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de información.

Un ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

La memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una dirección. Cada dirección corresponde a un cubículo (ubicación) en la memoria.

Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego el procesador envía los datos a escribir.

Para leer la memoria, el procesador envía la dirección para los datos requeridos. De inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información contenidos en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

CARACTERISTICAS MÁS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS

Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los términos de lectura y escritura por tratarse de elementos de memoria.
Las características más importantes de las memorias son:

Tiempo de escritura
Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la información a almacenar en la memoria y el momento en que la información queda realmente registrada.

Tiempo de lectura
Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura, y el momento en que la información está disponible en la salida.

Tiempo de acceso
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente.
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega.

Tiempo de ciclo
Después de una operación de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripción (memorias de núcleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperación. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso.
También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar una nueva operación de lectura o escritura

Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posición de memoria es siempre el mismo.

Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo).

Capacidad
Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina también volumen.

Densidad de información
Es el número de informaciones por unidad de volumen físico.

Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación.

TIPOS DE MEMORIAS

La memoria RAM (Random Access Memory), es un componente electrónico que se encarga de almacenar temporalmente los datos hasta que decidimos almacenarlos definitivamente en un medio físico (Disquete, disco duro...) Su aspecto físico es el de una plaquita de circuito impreso llamada comúnmente módulo de memoria. Existen dos tipos de módulos:

SIMM: (Single in-Line Memory Module), o módulo de memoria de conexión simple que lleva los chips necesarios para ampliar o dotar de memoria a un PC

DIMM: (Dual In-Line Memory Module), o módulo de conexión dual, mayor que un SIMM físicamente y en capacidad. Un DIMM de 168 contactos equivale a dos SIMM de 72.

La capacidad de un SIMM puede variar desde 4,8 o 16Mb mientras que la capacidad de un DIMM puede variar desde los 32, 64 o 128Mb en adelante.

Como se puede observar en la imagen para diferenciar los distintos tipos de memoria y su aspecto.

En la imagen se observa los distintos tipos de memoria y su aspecto de tal manera se puede dar las siguientes equivalencias:

1 DIMM de 168 contactos equivale a 2 SIMM de 72 contactos y a 8 SIMM de 32 contactos.

2 SIMM de 72 contactos equivale a 4 SIMM de 32 contactos.

MÉTODOS DE DIRECCIONAMIENTO

Hemos visto que generalmente (aunque no necesariamente) una instrucción consta de una parte de operación y una de dirección. La parte de dirección puede contener la dirección de un operando utilizado en la ejecución de la instrucción. En otras ocasiones la parte dirección de la instrucción puede no contener la dirección donde se encuentra el operando, sino la dirección donde se encuentra la dirección del operando. En el primer caso la dirección se describe como la dirección directa; en el segundo caso es una operación indirecta. En las computadoras, minicomputadoras y microcomputadoras se emplea una amplia gama de modos de direccionamiento de los que consideraremos algunos en esta sección.

DIRECTO: En el direccionamiento directo, como ya señalamos, la instrucción contiene la dirección de la posición de memoria donde se encuentra el operando.

INDIRECTO: En el direccionamiento indirecto, señalamos de nuevo, la dirección contiene no la dirección donde se encuentra el operando, sino la dirección donde se encuentra la dirección del operando.

RELATIVO: En el direccionamiento relativo la parte dirección de la instrucción contiene el número N. En memoria la dirección del operando se encuentra sumando el numero N al número del contador del programa.

INDEXADO: En el direccionamiento indexado como en el relativo, la parte dirección de la instrucción contiene un numero N que puede ser positivo o negativo. Sin embargo para utilizar el direccionamiento indexado, el computador debe estar equipado con un registro especial empleado para permitir direccionamiento indexado, y denominado naturalmente registro índice. La posición de memoria donde se localiza el operando se encuentra mediante la suma I + N.

REGISTRO INDIRECTO: Algunos computadores que incorporan la facultad del direccionamiento de registro indirecto tienen un registro especial, a menudo llamado registro (P). Este registro contiene la dirección de memoria del operando. Una instrucción que invoque realmente direccionamiento de registro indirecto no tiene bits significativos en su parte dirección. En lugar de ello, la instrucción completa se incluye en los bits asignados a la parte de operación de la instrucción. Una instrucción típica que use un registro de direccionamiento indirecto debería especificar "cargar" el acumulador con el operando localizado en la dirección de memoria dada en el registro (p).

INMEDIATO: En el direccionamiento inmediato, la parte de dirección de la instrucción contiene no la dirección del operando sino el mismo operando.

INHERENTE: Ordinariamente una dirección que es parte de una instrucción se refiere a una posición de memoria. Cuando una instrucción indica una fuente o un destino de datos y no se direcciona específicamente, ya no se hace referencia a la posición de memoria, se dice que la instrucción tiene una dirección inherente.

TABLA CARACTERISTICA DE LAS MEMORIAS

EDO RAM	Extended Data Out Random Access (Memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida)	Tecnología que permite a la memoria DRAM acortar el camino de transferencia de datos entre la memoria y la CPU
DRAM	Dinamic Random Access Memory (Memoria dinámica de acceso aleatorio)	Sistema común en los PC's. Requiere un refresco contínuo y es más barata que la memoria estática, pero de acceso más lento. Es la más utilizada.
SDRAM	Synchronus Dinamic Random Access Memory (Memoria dinámica de paginación de acceso aleatorio.	Tecnología DRAM que usa un reloj para sincronizar la entrada y salida de datos en la memoria de un chip.
RDRAM	Rambus DRAM, (Memoria dinámica de acceso aleatorio para tecnología Rambus	Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para funcionar con futuras generaciones de procesadores con velocidades de 1 Gb/s
SRAM	Static Random Access Memory (Memoria estática de acceso aleatorio.	Memoria RAM muy rápida que no necesita refresco. Es muy cara y por ello poco utilizada.
ROM	Read Only Memory (Memoria de sólo lectura)	Permite la lectura pero no la grabación.
PROM	Programmable Read Only Memory (Memoria programable de sólo lectura).	Permite una única programación. Una vez hecho, esta memoria equivale a una ROM.
EPROM	Erasable Programmable Read Only Memory (Memoria de sólo lectura programable y borrable).	Memoria ROM que el usuario puede reprogramar electrónicamente con un programador PROM. Se borra exponiéndola a rayos ultravioleta.
EEPROM	Electrically Erasable PROM (Memoria de sólo lectura programable y borrable eléctricamente.	Su contenido puede alterarse mediante señales eléctricas sin necesidad de programadores o borradores.