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MEMORIA RDRAM

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM.Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

La COPITA de Rambus (RDRAM) es un diseño bastante radical de la memoria encontrado en sistemas high-end de la PC a partir de finales de 1999 a 2002. Intel firmó un contrato con Rambus en 1996 que lo aseguraba apoyaría RDRAM en 2001. Después de 2001, Intel continuó apoyando RDRAM en sistemas existentes, pero los chipsets y las placas base nuevos cambiaron de puesto sobre todo a DDR SDRAM, y todos los chipsets y placas base futuros de Intel se están diseñando para DDR convencional o el más nuevo estándar DDR2. Los estándares de RDRAM habían sido propuestos que apoyarán procesadores más rápidos con 2006; sin embargo, sin la comisión de Intel con el desarrollo y la ayuda futuros del chipset, muy pocos sistemas RDRAM-basados fueron vendidos en 2003, y casi ninguno después eso. debido a la carencia de la ayuda de la industria de los fabricantes del chipset y de la placa base, RDRAM no hará muy probablemente una parte grande en las PC del futuro.

Con RDRAM, Rambus desarrollado cuál es esencialmente un autobús chip-to-chip de la memoria, con los dispositivos especializados que se comunican en las velocidades muy altas. Qué pudo ser interesante a alguno es que esta tecnología primero fue desarrollada para los sistemas del juego y primero hizo popular por el sistema del juego de Nintendo 64, y fue utilizada posteriormente en la Sony Playstation 2.

Los sistemas convencionales de la memoria que utilizan FPM/EDO o SDRAM se conocen como sistemas del ancho-canal. Tienen canales de la memoria tan anchos como el ómnibus de datos del procesador, que para el Pentium y ascendentes son 64 pedacitos. El módulo en línea dual de la memoria (DIMM) es un dispositivo ancho 64-bit, significando datos se puede transferir a él 64 pedacitos (o 8 octetos) a la vez.

RDRAMs, por otra parte, es dispositivos del estrecho-canal. Transfieren datos solamente 16 pedacitos (2 octetos) a la vez (más 2 pedacitos de paridad opcionales), pero a velocidades mucho más rápidas. Esto es una cambio lejos de un más paralelo a un diseño más serial y es similar a qué está sucediendo con otros autobúses de desarrollo en la PC.

el solo canal 16-bit RIMMs funcionó originalmente en 800MHz, así que el rendimiento de procesamiento total es 800x2, o 1.6GB por el segundo para un solo channelthe iguales que PC1600 DDR SDRAM. Los sistemas del Pentium 4 utilizaron típicamente dos bancos simultáneamente, creando un diseño en doble canal capaz de 3.2GBps, que empareja la velocidad del autobús de los procesadores originales del Pentium 4. Las características del diseño de RDRAM menos estado latente entre las transferencias porque todos funcionan síncrono en un sistema colocado y en solamente una dirección.

Más nuevas versiones de RIMM funcionan en 1,066MHz o 1,200MHz además de la tarifa original 800MHz y están disponibles en las versiones single-channel, 16-bit así como el mu'ltiple-canal, versiones 32-bit para los rendimientos de procesamiento hasta 4.8GBps por el módulo.

Un solo canal de la memoria de Rambus puede apoyar hasta 32 dispositivos individuales de RDRAM (las virutas de RDRAM), y más si se utilizan los almacenadores intermediarios. Cada viruta individual está conectada en serie con el siguiente en un paquete llamado un módulo en línea de la memoria de Rambus (RIMM), pero todas las transferencias de la memoria se hacen entre el regulador de la memoria y un solo dispositivo, no entre los dispositivos. Las virutas individuales de RDRAM se contienen en RIMMs, y un solo canal tiene típicamente tres zócalos de RIMM. El autobús de la memoria de RDRAM es una trayectoria continua a través de cada dispositivo y módulo en el autobús, con cada módulo que entra y los pernos de la salida en extremos opuestos. Por lo tanto, cualquier zócalo de RIMM que no contiene un RIMM se debe entonces llenar de un módulo de la continuidad para asegurarse de que la trayectoria está terminada. Las señales que alcanzan el extremo del autobús se terminan en la placa base.

Cada viruta de RDRAM en un RIMM1600 esencialmente funciona como módulo independiente que se sienta en el canal 16-bit de los datos. Internamente, cada viruta de RDRAM tiene una base que funcione encendido un autobús ancho 128-bit partido en ocho bancos 16-bit que funcionan en 100MHz. Es decir cada 10ns (100MHz), cada viruta de RDRAM puede transferir 16 octetos a y desde la base. Este interfaz de alta velocidad internamente ancho con todo externamente estrecho es la llave a RDRAM. Otras mejoras al diseño incluyen la separación de control y las señales de los datos en los autobúses Independientes del control y de dirección del autobús están partidas en dos grupos de los pernos para los comandos de la fila y de la columna, mientras que los datos se transfieren a través del ómnibus de datos ancho 2-byte. El reloj real del autobús de la memoria funciona en 400MHz; sin embargo, los datos se transfieren en los bordes el caer y de levantamiento de la señal del reloj, o dos veces por pulso. El borde que cae se llama un ciclo uniforme, y el borde de levantamiento se llama un ciclo impar. La sincronización completa del autobús de la memoria es alcanzada enviando los paquetes de los datos que comienzan por un intervalo uniforme del ciclo. La espera total antes de que una transferencia de la memoria pueda comenzar (estado latente) es solamente un ciclo, o el máximo 2.5ns.

La arquitectura también apoya múltiplo, las transacciones interpoladas simultáneas en múltiplo separa dominios de tiempo. Por lo tanto, antes de que una transferencia incluso haya terminado, otros pueden comenzar.

Otra característica importante de RDRAM es que es un sistema de baja potencia de la memoria. El RIMMs ellos mismos tan bien como el funcionamiento de los dispositivos de RDRAM en solamente 2.5 voltios y la señal de baja tensión del uso hace pivotar de 1.0V a 1.8V, un oscilación solamente del total 0.8V. RDRAMs también tiene cuatro modos de la energi'a-abajo y transiciones de la lata automáticamente en modo espera en el final de una transacción, que ofrece ahorros más futuros de la energía.

Según lo discutido, las virutas de RDRAM están instaladas en los módulos llamados RIMMs. Un RIMM es similar de tamaño y forma física a DIMMs actual, pero él no es permutable. RIMMs es disponible de tamaños del módulo hasta 1GB o más y se puede agregar a un sistema uno a la vez porque cada RIMM individual representa técnico los bancos múltiples a un sistema. Tienen que ser agregados en pares si sus instrumentos RDRAM en doble canal y usted de la placa base están utilizando RIMMs ancho 16-bit.

Un regulador de la memoria de RDRAM con un solo canal de Rambus apoya hasta tres módulos de RIMM según el diseño. Sin embargo, la mayoría de las placas base ponen solamente dos módulos en ejecucio'n por el canal para evitar problemas con ruido de la señal.

RIMMs está disponible en tres grados primarios de la velocidad, con tres diversas versiones de la anchura en cada grado. Las versiones 16-bit se funcionan generalmente en un ambiente en doble canal, así que tienen que ser instaladas en pares, con cada de los pares en un diverso sistema de zócalos. Cada sistema de zócalos de RIMM en tales tableros es un canal. La versión 32bit incorpora los canales múltiples dentro de un solo dispositivo y, como tal, se diseña ser instalada individualmente, eliminando el requisito para pairs.Note emparejado que los nombres una vez que comunes para los módulos de RIMM, tales como PC800, han sido substituidos por los nombres que reflejan la anchura de banda real del módulo para evitar la confusión con memoria de DDR.

CARACTERÍSTICAS

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de diseñarse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la DDR SDRAM.

En la época en la que se diseñaron sus pusieron un gran reto para los ingenieros, debido principalmente a la necesidad de utilizar ch estables a alta frecuencia, lo que requería un silicio especialmente puro y que encareció el precio de las memorias por encima de sus competidoras.

Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM llegó a los 1200 Mhz, incorporando dos canales RDRAM separados, a 1200 Mhz en un solo módulo RIMM 4800. Además, han pasado de RIMMs de 16 bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.

TIPOS Y ANCHURA DE BANDA DEL MÓDULO DE RDRAM
Estándar Del Módulo	Formato Del Módulo	Tipo De la Viruta	Velocidad De Reloj (Megaciclo)	Ciclos por el reloj	Velocidad Del Autobús (MT/s)	Anchura Del Autobús (Octetos)	Tarifa De Transferencia (MBps)
RIMM1200	RIMM-16	PC600	300	2	600	2	1.200
RIMM1400	RIMM-16	PC700	350	2	700	2	1.400
RIMM1600	RIMM-16	PC800	400	2	800	2	1.600
RIMM2100	RIMM-16	PC1066	533	2	1.066	2	2.133
RIMM2400	RIMM-16	PC1200	600	2	1.200	2	2.400
RIMM3200	RIMM-32	PC800	400	2	800	4	3.200
RIMM4200	RIMM-32	PC1066	533	2	1.066	4	4.266
RIMM4800	RIMM-32	PC1200	600	2	1.200	4	4.800

MT/s = Megatransfers por segundo

MBps = megabytes por segundo

Cuando Intel lanzó inicialmente su peso detrás de la memoria de Rambus, se parecía destinada ser una cosa segura para el éxito. Desafortunadamente, técnico retrasa en los chipsets hizo las placas base de soporte ser retrasado perceptiblemente, y con pocos sistemas para apoyar el RIMMs, la mayoría de los fabricantes de la memoria fueron de nuevo a hacer SDRAM o cambiaron de puesto a DDR SDRAM en lugar de otro. Esto causó el RIMMs disponible restante que era fabricado para ser tasado originalmente tres o más veces que de un DIMM comparativamente clasificado. El coste para RDRAM RIMMs ha venido más recientemente abajo aproximadamente a el de DDR SDRAM, pero para el momento en que estuvo sucedida, Intel había cambiado de puesto todo el desarrollo futuro del chipset a la memoria DDR y DDR2 de la ayuda solamente.

Pues he indicado muchas veces, una de las consideraciones principales para la memoria es que el rendimiento de procesamiento del autobús de la memoria debe emparejar el rendimiento de procesamiento del autobús del procesador, y en que el área RDRAM RIMMs fue satisfecha originalmente más a los sistemas de procesador iniciales del Pentium 4. Sin embargo, con los aumentos en la velocidad del autobús del procesador del Pentium 4 de 400MHz a 533MHz y entonces a 800MHz y del advenimiento de los chipsets que apoyan memoria en doble canal de DDR, DDR y DDR2 son actualmente el mejor fósforo para las velocidades del autobús de la CPU de Intel y de los procesadores de AMD. En cortocircuito, el advenimiento de más nuevos chipsets que apoyaban DDR en doble canal en 2002 y DDR2 en 2004 ha rendido DDR y DDR2 como las mejores opciones para los sistemas modernos, ofreciendo el funcionamiento máximo de la memoria posible