MEMORIA EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EEPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria Flash (en las de mayor utilización).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor del BIOS, su revisión y una advertencia de copyringt.
Las EPROM pueden venir en diferentes tamaños y capacidades. Así, para la familia 2700 se pueden encontrar:
Tipo de EPROM
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Última dirección (hex)
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1702, 1702A
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256
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100
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000FF
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2704
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4 Kbits
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512
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200
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001FF
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2708
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8 Kbits
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400
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003FF
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2716, 27C16
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16 Kbits
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2 KBytes
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800
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007FF
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2732, 27C32
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32 Kbits
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4 KBytes
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1000
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00FFF
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2764, 27C64
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64 Kbits
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8 KBytes
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2000
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01FFF
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27128, 27C128
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128 Kbits
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16 KBytes
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4000
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03FFF
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27256, 27C256
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256 Kbits
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32 KBytes
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8000
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07FFF
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27512, 27C512
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512 Kbits
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64 KBytes
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10000
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0FFFF
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27C010, 27C100
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128 KBytes
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20000
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1FFFF
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27C020
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2 Mbits
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256 KBytes
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40000
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3FFFF
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27C040
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4 Mbits
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512 KBytes
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80000
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7FFFF
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27C080
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8 Mbits
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100000
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FFFFF
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MEMORIAS
Una parte importantísima en la mayoría de los sistemas digitales es la dedicada a contener la información que está tratando dicho sistema.
Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posición de memoria"
Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una información digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir:
* Alta velocidad.
* Bajo precio.
* Gran capacidad de almacenamiento.
* Bajo consumo.
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MEMORIAS DE SOLO LECTURA
ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva.
PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una única grabación y es más cara que la ROM.
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MEMORIAS DE SOBRE TODO LECTURA
* EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos no es completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip).
*EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM.
* MEMORIA FLASH: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y densa.
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MEMORIAS DE LECTURA/EXCRITURA (RAM)
*DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco periódico. Son más simples y baratas que las SRAM.
* SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas que las DRAM y más caras.
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UNIDADES DE MEMORIA
* BIT: puede tener valore de 0 y 1, es decir sistema binario.
* BYTE: son 8 Bits.
* KILOBYTE (KB) = 2 **10 bytes.
* MEGABYTE (MB) = 2 ** 10 Kilobyte = 2 ** 20 Bytes.
* GIGABYTE (GB) = 2** 10 Megabyte = 2** 30 Byte.
* TERABYTE (TB) =2**10 Gigabyte = 2**40 Bytes
Es necesario aclarar que las unidades son infinitas, pero las antes nombradas son las usadas.
* BIT: su nombre se debe a la contracción de Binary Digit, es la mínima unidad de información y puede ser un cero o un uno
* BYTE: es la también conocida como el octeto, formada por ocho bits, que es la unidad básica, las capacidades de almacenamiento en las computadoras se organiza en potencias de dos, 16, 32, 64.
Las demás unidades son solo múltiplos de las anteriores, por ello cada una de ellas están formadas por un determinado numero de Bits
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